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| 品牌 | 其他品牌 | 產地類別 | 進口 |
|---|---|---|---|
| 應用領域 | 綜合 |
產品咨詢 龔經理 I8721868497 VX同號
美國 Universitywafer GaN 藍寶石襯底晶圓
美國 Universitywafer GaN 藍寶石襯底 Al2O3 襯底
美國 Universitywafer GaN晶圓 藍寶石GaN
長期以來，硅一直是電力電子的前列基板，但由于研究的進步，GaN 已經取代了硅。這種變化的原因是 GaN 被認為是一種寬帶隙材料。這意味著它在高溫下運行時具有高擊穿電壓和出色的效率.
藍寶石襯底的GaN晶圓是無線電能量放大的理想材料。與硅相比，它具有許多優點，包括更高的擊穿電壓和更好的高溫性能。
Gallim 氮化物 （GaN） 射頻功率是包括硅在內的上一代材料的五倍。新的 GaN 技術進步應該會帶來更輕、更小、的電子設備。
GaN 外延片由 6H-SiC 襯底上的 GaN 層組成。軸向直徑 50 mm，n 型，GaN 厚度 ~0.5 um
藍寶石上的 GaN 層，軸向直徑 50 mm，n 型，GaN 厚度 0.5-10 um。
GaN/AIN/SiC 外延片由 6H 碳化硅上的 AIN 層上的 GaN 層組成。
軸向直徑 50mm，n 型。
GaN 厚度 ~（0.5-0.8） um。
AIN 厚度 ~0.1 微米。
GaN/AIN/AI2O3 外延片由藍寶石上 AIN 層上的 GaN 層組成。
直徑 50mm，同軸，n 型，GaN 厚度 ~（0.5-0.8） um，AIN 厚度 ~0.1 um。
美國 Universitywafer GaN 藍寶石襯底晶圓
GaN 是一種二元 III/V 直接帶隙半導體，自 1990 年代以來常用于明亮的發光二極管。該化合物是一種非常堅硬的材料，具有纖鋅礦晶體結構。其 3.4 eV 的寬帶隙使其具有特殊性能，適用于以下應用：
光電
大功率器件
高頻設備
例如，GaN 是使紫色 （405 nm） 半導體激光管成為可能的襯底，而無需使用非線性光學倍頻。它對電離輻射的敏感性很低（與其他 III 族氮化物一樣），使其成為衛星太陽能電池陣列的合適材料。軍事和太空應用也可能受益，因為設備在輻射環境中表現出穩定性。
氮化鎵晶體管可以在比砷化鎵 （GaAs） 晶體管高得多的溫度下工作，并在高得多的電壓下工作，它們是微波頻率的理想功率放大器。
藍寶石上的 2 英寸 AlN 晶圓
藍寶石上的 2 英寸 GaN 晶圓（未摻雜），厚度為 4um
藍寶石上的 2 英寸 GaN 晶圓（硅摻雜），厚度為 4um
藍寶石上的 2 英寸 GaN 晶圓（摻鎂），厚度為 4 微米
Si 襯底上的 HEMT 結構，SiC 襯底上的 2 英寸
HEMT 結構，2 英寸
2 英寸氮化鎵藍色或綠色 LED 晶圓
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